Физика примеры решения задач

Физика
  • Основные типы связей в твердых телах
  • Внутренняя структура твердых тел
  • Обратная решетка
  • Дифракция в кристаллах
  • Упругие свойства кристаллов
  • Динамика решетки
  • Тепловые свойства твердых тел
  • Электроны в металлах.
  • Зонная теория твердых тел
  • Дефекты кристаллической решетки
  • Раздел «Кинематика»
  • Раздел «Динамика»
  • Механические колебания и волны. Акустика
  • Уравнение движения материальной точки
  • Молекулярная физика и термодинамика.
  • Раздел. «Электростатика»
  • Раздел «Постоянный ток»
  • Раздел «Переменный ток»
  • Электрическое поле
  • Элементы атомной и ядерной физики
  • Взаимодействие света с веществом.
  • Основные физические константы в СИ
  • Внутренняя структура твердых тел. Обратная решетка

    При сближении частиц на относительно больших расстояниях появляются силы притяжения, быстро увеличивающиеся с уменьшением расстояния r между частицами, а на малых расстояниях возникают силы отталкивания, которые с уменьшением расстояния r увеличиваются значительно быстрее, чем силы притяжения. На расстоянии r = r0 силы отталкивания уравновешивают силы притяжения, и результирующая энергия взаимодействия достигает минимального значения (рис.1).

    Рис. 1.

     Поэтому состояние частиц, сближенных на расстояние r0, является состоянием устойчивого равновесия, вследствие чего частицы выстраиваются в строгом порядке на расстоянии r0 друг от друга, образуя тело с правильной внутренней структурой - кристалл. Такая структура будет сохраняться до тех пор, пока энергия связи остается выше по абсолютному значению энергии теплового движения частиц. Частицы кристалла не могут свободно покидать свои положения равновесия, так как при удалении от этих положений энергия частиц увеличивается и появляются силы, стремящиеся вернуть их в положение равновесия. При этом частицы совершают беспорядочное колебание около положений равновесия. Кристаллы - это вещества, в которых составляющие их частицы (атомы, молекулы) расположены строго периодически, образуя геометрически закономерную кристаллическую структуру. Каждое кристаллическое вещество отличается от других кристаллических веществ по его атомной структуре. Вследствие закономерности и симметрии структуры кристаллы однородны и анизотропны. Кристалл называется однородным, если для любой точки, взятой внутри него, найдется точка, совершенно идентичная по свойствам первой и отстоящая от нее на некотором конечном расстоянии. Анизотропность - это зависимость свойств кристалла от направлений в кристалле. Идентичные точки (узлы), связанные с произвольно выбранной точкой тремя некомпланарными векторами переноса (трансляциями), образуют трехмерную периодическую решетку, охватывающую все пространство кристалла. Положение любой частицы в такой решетке определяется вектором . Векторы  называются наименьшими векторами трансляции, а численные их величины – периодами трансляции.

    Решетка, построенная путем параллельного переноса (трансляции) какого-либо узла по трем направлениям, называется трансляционной решеткой или решеткой Бравэ. Наименьший параллелепипед, построенный на векторах , называют элементарной ячейкой кристалла. Все элементарные ячейки, составляющие решетку, имеют одинаковые форму и объем. Элементарные ячейки, содержащие частицы только в вершинах, называют простыми, или примитивными. На каждую такую ячейку приходится одна частица. Элементарные ячейки, содержащие частицы не только в вершинах, но и в других точках, называют сложными. Базисом ячейки называют совокупность координат узлов, приходящихся на элементарную ячейку. Координационным числом решетки называется число ближайших соседей, окружающих данный атом.

     Наиболее распространенные сложные ячейки: объемноцентрированные (ОЦ), базоцентрированные (БЦ) и гранецентрированные (ГЦ) (рис. 2).


    Решетка, при построении которой можно транслировать не один узел, а несколько узлов (базис) называется решеткой с базисом.

      ОЦ БЦ ГЦ

    Рис. 2.

     Некоторым твердым телам свойственна не одна, а две и более кристаллические структуры, устойчивые при различных температурах и давлениях. Такие структуры называют полиморфными формами или модификациями вещества, а переход от одной модификации к другой - полиморфными превращениями. Полиморфные модификации принято обозначать греческими буквами: модификацию, устойчивую при нормальной и более низкой температуре, обозначают буквой - a; модификации, устойчивые при более высоких температурах, обозначают соответственно буквами - b, g, d и т.д.

     Узлы, направления и плоскости в решетке обозначают так называемыми индексами Миллера.

     Положение любого узла решетки относительно выбранного начала координат определяется заданием трех его координат x, y, z:

     x = ma; y = nb; z =pc, (2.1)

    где a, b, c- параметры решетки; m, n, p - целые числа. Числа m, n, p - называют индексами узла и записывают так: [[mnp]]. Для отрицательного индекса знак минус ставится над индексом.

    Для описания направления в кристалле выбирается прямая, проходящая через начало координат и любой узел, находящийся в этом ряду (направлении, ребре). Индексы узла являются одновременно и индексами направления. Индексы направления обозначают так: [mnp]. Индексы направления представляют собой три наименьших целых числа, характеризующих положение ближайшего узла, лежащего в данном направлении. Если ряд (или ребро) не проходит через начало координат, то необходимо мысленно перенести его в начало координат параллельно самому себе (так как все параллельные направления в кристалле равнозначны).

    Положение плоскости определяется заданием трех отрезков А, В, С, которые она отсекает на осях решетки.

    Чтобы найти индексы Миллера любой кристаллографической плоскости надо:

    выбрать начало координат, но не в данной плоскости;

    выразить отрезки А, В, С, отсекаемые плоскостью на осях координат, через осевые отрезки а, b, с;

    найти величины обратные этим отрезкам: 1/А, 1/В, 1/С;

    полученные дроби привести к общему знаменателю D.

    полученные три числа h=D/A; k=D/B; l=D/C заключить в круглые скобки (hkl). (hkl) - являются индексами плоскости (грани).

    Чтобы построить плоскость (hkl) нужно нанести на осях координат отрезки a/h, b/k, c/l , через полученные таким образом точки будет проходить плоскость семейства {hkl}, ближайщая к началу координат.

    Индицирование кристаллов гексагональной и тригональной сингоний. В этом случае для обозначения плоскостей пользуются четырехосной системой координат: три оси (а1, а2, а3), расположенные под углом 1200 друг по отношению к другу, лежат в основании шестигранной призмы (в плоскости базиса), четвертая ось (с) перпендикулярна плоскости базиса (рис.3). Каждая плоскость обозначается четырьмя индексами: h, k, i, l. Дополнительный индекс i ставится на 3-м месте и вычисляется через индексы h и k : i = -(h+k).

      Рис. 3.

    Определение символов плоскостей (граней) по методу косинусов. Положение любой плоскости кристалла (hkl) вполне определяется углами, которые составляют нормаль к этой плоскости с осями координат. Для кубического кристалла:

      h:k:l = cosa: cosb: cosg.  (2.2)

    Связь между символами плоскостей и направлений (граней и ребер).

      Зная символы 2-х плоскостей можно найти символы ребра (направления), по которому они пересекаются и наоборот. Символы плоскости (hkl) и направления [mnp] связаны между собой: h m+k n+l p = 0. Найдем символы ребра [mnp] по которому пересекаются две грани (h1k1l1) и (h2k2l2). Для этого необходимо решить систему уравнений:

      h1 m + k1n + l1 p = 0

     h2 m + k2 n + l2 h = 0 (2.3)

    Решением системы уравнений являются детерминанты:

     , , (2.4)

    а отношение det-ов дает символ грани:

       (2.5)

    Аналогично можно найти символы грани по символам двух, лежащих на ней ребер:

      (2.6)

    Физика - лекции, конспекты, примеры решения задач